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簡要描述：Beam Imaging離子槍系統(tǒng)真空組件提供兩種離子槍系統(tǒng)類型聯(lián)系張經(jīng)理:I872I868549(微信同號(hào))
產(chǎn)品型號(hào)：廠商性質(zhì)：代理商更新時(shí)間：2024-09-23訪 問 量：16
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| 品牌 | 其他品牌 | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 綜合 |
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Beam Imaging離子槍系統(tǒng)真空組件
Beam Imaging Solutions （BIS） 提供兩種離子槍系統(tǒng)類型。每個(gè)噴槍都包括一個(gè)離子源組件、散熱器、加速和聚焦系統(tǒng)、垂直偏轉(zhuǎn)板、一個(gè) 6 英寸長的速度過濾器和一個(gè)速度過濾器保護(hù)環(huán)控制單元。組件組裝在裝有法蘭的真空外殼中，用于安裝到客戶的設(shè)備上。保護(hù)環(huán)控制單元可以安裝到標(biāo)準(zhǔn)的 19 英寸機(jī)架面板中。如果需要，可以訂購定制法蘭和附加端口。當(dāng)噴槍需要光束減速器時(shí)，包括一個(gè)適配器法蘭（型號(hào) G-1-D 和 G-2-D 離子槍）。Beam Imaging 還為上述離子槍系統(tǒng)提供控制單元（E 系列）。控制單元包括操作離子噴槍所需的所有電源以及用于離子源和真空計(jì)控制的冷卻裝置。所有離子束組件也可單獨(dú)或成套提供（離子源、散熱器、速度過濾器、提取和聚焦透鏡系統(tǒng)）。這些完整的套件稱為離子束套件。
G-1 型可在 500 eV 至 10 keV（可選 20keV）的能量范圍內(nèi)運(yùn)行。如果需要小于 500 eV 的離子束能量，我們建議使用 G-1-D 型，其中包括 400 型或 450 型減速器，可以產(chǎn)生能量低至 1 eV 的質(zhì)量選擇離子束。G-1 系列型號(hào)的真空外殼由拋光不銹鋼管制成，直徑為 6 英寸，長約 19 英寸。長度包括 500 型絕緣子安裝法蘭。G-1-D 的總長度為 23 1/8 英寸，與 400 型或 450 型減速器一起使用。兩個(gè)離子槍外殼都配有一個(gè) 6“ ID 粗加工端口。G-1 和 G-1-D 型的標(biāo)準(zhǔn)出口法蘭是 8 英寸外徑和 6 英寸內(nèi)徑的同平法蘭。然而，G-1-D 型在與減速器一起使用時(shí)有一個(gè) 2 3/4 英寸的出口法蘭（僅限 400 型）。G-1 和 G-1-D 型都適合真空至 10-7Torr 的 Var，而不是為 bakeout 設(shè)計(jì)的。
G-2 和 G-2-D 離子槍均設(shè)計(jì)為在 500 eV 至 10 keV（可選 20keV）能量范圍內(nèi)運(yùn)行。然而，G-2-D 離子槍有可選的 400 型或 450 型減速器，可在低至 1 eV 的電壓下使用。G-1 和 G-2 系列離子槍之間有兩個(gè)區(qū)別。G-2 離子槍設(shè)計(jì)為可烘烤至 200oC，用于超高真空 （UHV） 系統(tǒng)。速度過濾器上的磁線圈封裝在不銹鋼護(hù)套中，并采用液體冷卻，因此允許更高的電流和磁場強(qiáng)度。BIS 建議使用 CU-1 冷卻裝置進(jìn)行磁體和離子源冷卻。G-2 和 G-2-D 的尺寸分別與 G-1 和 G-1-D 相同。G-2 和 G-2-D 的設(shè)計(jì)都適合真空到 10-9托。
| 分辨率 | 米/天 米 ~ 400 |
|---|---|
| 離子電流 | 高達(dá) 20 微安聚焦，100 微安非聚焦 |
| 離子源 （DC） | 燈絲 16 V – 20 A，陽極 0 – 150 V，0.4 A |
| 離子源 （RF） | 0-500 瓦，13.56 MhZ |
| 鏡頭系統(tǒng) | 0 – 10 kV，1 mA 加速電壓，0 – 10 kV，0.5 mA 聚焦電壓 |
| 垂直偏轉(zhuǎn)板 | 0 – 400 伏，1mA |
| Velocity Filter Magnet | G-1 型：9.5 V，3 A，G-2 型：28 V，14 A 連續(xù)運(yùn)行 |
| 速度過濾器偏轉(zhuǎn)板 | 0 – 350 V， 50 mA （浮動(dòng)輸出） |
| 型 | G-1、G-1-D、G-2、G-2-D |
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